Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
|
6PS04512E43W39693 |
|
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Добавить в запрос |
|
6PS18012E4FG35689 |
|
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Добавить в запрос |
|
A1C15S12M3 |
|
STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE | Добавить в запрос |
|
A1C15S12M3-F |
|
STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE | Добавить в запрос |
|
A1P25S12M3 |
|
STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE | Добавить в запрос |
|
A1P25S12M3-F |
|
STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE | Добавить в запрос |
|
A1P35S12M3 |
|
STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE | Добавить в запрос |
|
A1P35S12M3-F |
|
STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE | Добавить в запрос |
|
A1P50S65M2 |
|
STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) ACEPACK 1 sixpack topology, 650 V, 50 A trench gate field-stop IGBT M series, soft diode and NTC | Добавить в запрос |
|
A1P50S65M2-F |
|
STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) ACEPACK 1 sixpack topology, 650 V, 50 A trench gate field-stop IGBT M series, soft diode and NTC | Добавить в запрос |
|
A2C25S12M3 |
|
STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE | Добавить в запрос |
|
A2C25S12M3-F |
|
STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE | Добавить в запрос |
|
A2C35S12M3 |
|
STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) ACEPACK 2 converter inverter brake, 1200 V, 35 A trench gate field-stop IGBT M series, soft diode and NTC | Добавить в запрос |
|
A2C35S12M3-F |
|
STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) ACEPACK 2 converter inverter brake, 1200 V, 35 A trench gate field-stop IGBT M series, soft diode and NTC | Добавить в запрос |
|
A2C50S65M2 |
|
STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) ACEPACK 2 converter inverter brake, 650 V, 50 A trench gate field-stop IGBT M series, soft diode and NTC | Добавить в запрос |
|
A2C50S65M2-F |
|
STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) ACEPACK 2 converter inverter brake, 650 V, 50 A trench gate field-stop IGBT M series, soft diode and NTC | Добавить в запрос |
|
A2P75S12M3 |
|
STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE | Добавить в запрос |
|
A2P75S12M3-F |
|
STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE | Добавить в запрос |
|
APT100GLQ65JU2 |
|
Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC0101 | Добавить в запрос |
|
APT100GLQ65JU3 |
|
Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC0107 | Добавить в запрос |
|
APT100GN120J |
|
Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, 100A, SOT-227 | Добавить в запрос |
|
APT100GN120JDQ4 |
|
Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 600V, SOT-227 | Добавить в запрос |
|
APT100GT120JRDQ4 |
|
Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI,1200V,100A, SOT-227 | Добавить в запрос |
|
APT100GT120JU2 |
|
Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC0006 | Добавить в запрос |
