Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) [2]

Фильтрация

Если применить фильтр: 0

Производитель

Технология

Продукт

Конфигурация

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

Непрерывный коллекторный ток при 25 C

Ток утечки затвор-эмиттер

Pd - рассеивание мощности

Упаковка / блок

Минимальная рабочая температура

Максимальная рабочая температура

Квалификация

Упаковка

Сбросить фильтрацию

05407900	Littelfuse	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
05410100	Littelfuse	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
05410200	Littelfuse	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
2LS20017E42W34854	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
2LS20017E42W36702	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
2LS20017E42W40403	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
2PS06017E32G28213	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1x 325A AC at 690V AC Forced Air	Добавить в запрос
2PS12017E34W32132NOSA1	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) STACKS IPM	Добавить в запрос
2PS12017E44G35911	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
2PS13512E43W35222NOSA1	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) STACKS IPM	Добавить в запрос
2PS13512E43W39689	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
2PS18012E44G38553NOSA1	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) STACKS IPM	Добавить в запрос
4PS03012S43G30699	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
6MS10017E41W36460	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
6MS16017P43W40382	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
6MS16017P43W40383	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
6MS20017E43W37032	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
6MS20017E43W38170	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
6MS24017E33W32859NOSA1	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) STACKS IPM	Добавить в запрос
6MS24017E33W32860NOSA1	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) STACKS IPM	Добавить в запрос
6MS30017E43W34404NOSA1	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) STACKS IPM	Добавить в запрос
6MS30017E43W38169	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
6PS03012E33G34160	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
6PS04512E43G37986	Infineon Technologies	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос