Главная
/
Каталог производителей
/
STMicroelectronics
STMicroelectronics
|
STGW40M120DF3 |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 40 A low loss |
Добавить в запрос
|
|
|
STGW40M120DF3 |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 40 A low loss |
Добавить в запрос
|
|
STGW40NC60KD |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 40A - 600V Short circuit rugged IGBT |
Добавить в запрос
|
|
|
STGW40NC60KD |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 40A - 600V Short circuit rugged IGBT |
Добавить в запрос
|
|
STGW40V60DF |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 40A High Speed Trench Gate IGBT |
Добавить в запрос
|
|
|
STGW40V60DF |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 40A High Speed Trench Gate IGBT |
Добавить в запрос
|
|
STGW40V60DLF |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 40A High Speed Trench Gate IGBT |
Добавить в запрос
|
|
|
STGW40V60DLF |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 40A High Speed Trench Gate IGBT |
Добавить в запрос
|
|
STGW40V60F |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 40A Trench Gate 1.8V Vce IGBT |
Добавить в запрос
|
|
|
STGW40V60F |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 40A Trench Gate 1.8V Vce IGBT |
Добавить в запрос
|
|
STGW60H60DLFB |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 60A trench gate field-stop IGBT |
Добавить в запрос
|
|
|
STGW60H60DLFB |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 60A trench gate field-stop IGBT |
Добавить в запрос
|
|
STGW60H65DF |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 60 A 650V Field Stop Trench Gate IGBT |
Добавить в запрос
|
|
|
STGW60H65DF |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 60 A 650V Field Stop Trench Gate IGBT |
Добавить в запрос
|
|
STGW60H65DFB |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 60A trench gate field-stop IGBT |
Добавить в запрос
|
|
|
STGW60H65DFB |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 60A trench gate field-stop IGBT |
Добавить в запрос
|
|
STGW60H65DFB-4 |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speed |
Добавить в запрос
|
|
|
STGW60H65DFB-4 |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speed |
Добавить в запрос
|
|
STGW60H65DRF |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 60A 650V Field Stop Trench Gate IBGT |
Добавить в запрос
|
|
|
STGW60H65DRF |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 60A 650V Field Stop Trench Gate IBGT |
Добавить в запрос
|
Продолжая использовать сайт, вы соглашаетесь на обработку файлов cookie и Политикой обработки персональных данных.
