|
STGW35HF60WD |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 35 A 600 V Ultra fast IGBT |
Добавить в запрос
|
|
|
STGW35HF60WD |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 35 A 600 V Ultra fast IGBT |
Добавить в запрос
|
|
STGW35HF60WDI |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 35 A 600 V Ultra fast IGBT |
Добавить в запрос
|
|
|
STGW35HF60WDI |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 35 A 600 V Ultra fast IGBT |
Добавить в запрос
|
|
STGW35NB60SD |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N Ch 35A 600V |
Добавить в запрос
|
|
|
STGW35NB60SD |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N Ch 35A 600V |
Добавить в запрос
|
|
STGW39NC60VD |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-CHANNEL MFT |
Добавить в запрос
|
|
|
STGW39NC60VD |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-CHANNEL MFT |
Добавить в запрос
|
|
STGW40H120DF2 |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed |
Добавить в запрос
|
|
|
STGW40H120DF2 |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed |
Добавить в запрос
|
|
STGW40H120F2 |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed |
Добавить в запрос
|
|
|
STGW40H120F2 |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed |
Добавить в запрос
|
|
STGW40H60DLFB |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 40A trench gate field-stop IGBT |
Добавить в запрос
|
|
|
STGW40H60DLFB |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 40A trench gate field-stop IGBT |
Добавить в запрос
|
|
STGW40H65DFB |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 40A trench gate field-stop IGBT |
Добавить в запрос
|
|
|
STGW40H65DFB |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 40A trench gate field-stop IGBT |
Добавить в запрос
|
|
STGW40H65DFB-4 |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 40 A high speed in a TO247-4 package |
Добавить в запрос
|
|
|
STGW40H65DFB-4 |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 40 A high speed in a TO247-4 package |
Добавить в запрос
|
|
STGW40H65FB |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 40A Trench Gate Field-Stop IGBT |
Добавить в запрос
|
|
|
STGW40H65FB |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 40A Trench Gate Field-Stop IGBT |
Добавить в запрос
|
