|
STGP8NC60KD |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N Ch 500V 0.21 15A Pwr MOSFET |
Добавить в запрос
|
|
STGP8NC60KD |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N Ch 500V 0.21 15A Pwr MOSFET |
Добавить в запрос
|
|
STGPL6NC60D |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 6A N-Channel |
Добавить в запрос
|
|
STGPL6NC60D |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 6A N-Channel |
Добавить в запрос
|
|
STGPL6NC60DI |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600 V - 6 A Hyper fast IGBT |
Добавить в запрос
|
|
STGPL6NC60DI |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600 V - 6 A Hyper fast IGBT |
Добавить в запрос
|
|
STGW10M65DF2 |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE |
Добавить в запрос
|
|
STGW10M65DF2 |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE |
Добавить в запрос
|
|
STGW15H120DF2 |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 15 A high speed |
Добавить в запрос
|
|
STGW15H120DF2 |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 15 A high speed |
Добавить в запрос
|
|
STGW15H120F2 |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 15 A high speed |
Добавить в запрос
|
|
STGW15H120F2 |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 15 A high speed |
Добавить в запрос
|
|
STGW15M120DF3 |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 15 A low loss |
Добавить в запрос
|
|
STGW15M120DF3 |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 15 A low loss |
Добавить в запрос
|
|
STGW19NC60HD |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 19 A - 600 V Very fast IGBT |
Добавить в запрос
|
|
STGW19NC60HD |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 19 A - 600 V Very fast IGBT |
Добавить в запрос
|
|
STGW20H60DF |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStop |
Добавить в запрос
|
|
STGW20H60DF |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStop |
Добавить в запрос
|
|
STGW20H65FB |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 20 A high speed |
Добавить в запрос
|
|
STGW20H65FB |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 20 A high speed |
Добавить в запрос
|