|
STGP3HF60HD |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 4.5 A, 600 V very fast IGBT with Ultrafast diode |
Добавить в запрос
|
|
|
STGP3HF60HD |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 4.5 A, 600 V very fast IGBT with Ultrafast diode |
Добавить в запрос
|
|
STGP3NC120HD |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 7A 1200 V Very Fast IGBT Power Bipolar |
Добавить в запрос
|
|
|
STGP3NC120HD |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 7A 1200 V Very Fast IGBT Power Bipolar |
Добавить в запрос
|
|
STGP40V60F |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 40A Trench Gate 1.8V Vce IGBT |
Добавить в запрос
|
|
|
STGP40V60F |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 40A Trench Gate 1.8V Vce IGBT |
Добавить в запрос
|
|
STGP4M65DF2 |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench Gate IGBT M Series 650V 4A |
Добавить в запрос
|
|
|
STGP4M65DF2 |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench Gate IGBT M Series 650V 4A |
Добавить в запрос
|
|
STGP5H60DF |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed |
Добавить в запрос
|
|
|
STGP5H60DF |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed |
Добавить в запрос
|
|
STGP6M65DF2 |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE |
Добавить в запрос
|
|
|
STGP6M65DF2 |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE |
Добавить в запрос
|
|
STGP6NC60HD |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PowerMESH" IGBT |
Добавить в запрос
|
|
|
STGP6NC60HD |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PowerMESH" IGBT |
Добавить в запрос
|
|
STGP7H60DF |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 7 A high speed |
Добавить в запрос
|
|
|
STGP7H60DF |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 7 A high speed |
Добавить в запрос
|
|
STGP7NC60HD |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT |
Добавить в запрос
|
|
|
STGP7NC60HD |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT |
Добавить в запрос
|
|
STGP8M120DF3 |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop, 1200 V, 8 A low loss M series IGBT in a TO-220 package |
Добавить в запрос
|
|
|
STGP8M120DF3 |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop, 1200 V, 8 A low loss M series IGBT in a TO-220 package |
Добавить в запрос
|
