NXP Semiconductors [5]

A3G20S250-01SR3	NXP Semiconductors	РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power GaN Transistor, 1800-2200 MHz, 45 W Avg., 48 V	Добавить в запрос
A3G22H400-04SR3	NXP Semiconductors	РЧ МОП-транзисторы RF Power GaN Trnsitr 1805-2200 MHz 79W48V	Добавить в запрос
A3G22H400-04SR3	NXP Semiconductors	РЧ МОП-транзисторы RF Power GaN Trnsitr 1805-2200 MHz 79W48V	Добавить в запрос
A3G22H400-04SR3	NXP Semiconductors	РЧ МОП-транзисторы RF Power GaN Trnsitr 1805-2200 MHz 79W48V	Добавить в запрос
A3G22H400-04SR3	NXP Semiconductors	РЧ МОП-транзисторы RF Power GaN Trnsitr 1805-2200 MHz 79W48V	Добавить в запрос
A3G26H501W17SR3	NXP Semiconductors	РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом Airfast RF Power GaN Transistor, 2496-2690 MHz, 56 W Avg., 48 V	Добавить в запрос
A3G26H501W17SR3	NXP Semiconductors	РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом Airfast RF Power GaN Transistor, 2496-2690 MHz, 56 W Avg., 48 V	Добавить в запрос
A3G35H100-04SR3	NXP Semiconductors	РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power GaN Transistor, 3400-3600 MHz, 14 W Avg., 48 V	Добавить в запрос
A3G35H100-04SR3	NXP Semiconductors	РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power GaN Transistor, 3400-3600 MHz, 14 W Avg., 48 V	Добавить в запрос
A3G35H100-04SR3	NXP Semiconductors	РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power GaN Transistor, 3400-3600 MHz, 14 W Avg., 48 V	Добавить в запрос
A3I35D012WGNR1	NXP Semiconductors	РЧ-усилитель Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 3200-4000 MHz, 1.8 W Avg., 28 V	Добавить в запрос
A3I35D012WGNR1	NXP Semiconductors	РЧ-усилитель Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 3200-4000 MHz, 1.8 W Avg., 28 V	Добавить в запрос
A3I35D012WGNR1	NXP Semiconductors	РЧ-усилитель Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 3200-4000 MHz, 1.8 W Avg., 28 V	Добавить в запрос
A3I35D012WGNR1	NXP Semiconductors	РЧ-усилитель Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 3200-4000 MHz, 1.8 W Avg., 28 V	Добавить в запрос
A3I35D012WNR1	NXP Semiconductors	РЧ-усилитель Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 3200-4000 MHz, 1.8 W Avg., 28 V	Добавить в запрос
A3I35D012WNR1	NXP Semiconductors	РЧ-усилитель Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 3200-4000 MHz, 1.8 W Avg., 28 V	Добавить в запрос
A3I35D012WNR1	NXP Semiconductors	РЧ-усилитель Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 3200-4000 MHz, 1.8 W Avg., 28 V	Добавить в запрос
A3I35D012WNR1	NXP Semiconductors	РЧ-усилитель Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 3200-4000 MHz, 1.8 W Avg., 28 V	Добавить в запрос
A3I35D025WGNR1	NXP Semiconductors	РЧ-усилитель LDMOS Wdbnd Pwr Amp 3200-4000 MH 3.4W28V	Добавить в запрос
A3I35D025WGNR1	NXP Semiconductors	РЧ-усилитель LDMOS Wdbnd Pwr Amp 3200-4000 MH 3.4W28V	Добавить в запрос