|
A3G20S250-01SR3 |
|
NXP Semiconductors |
РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power GaN Transistor, 1800-2200 MHz, 45 W Avg., 48 V |
Добавить в запрос
|
|
A3G22H400-04SR3 |
|
NXP Semiconductors |
РЧ МОП-транзисторы RF Power GaN Trnsitr 1805-2200 MHz 79W48V |
Добавить в запрос
|
|
|
A3G22H400-04SR3 |
|
NXP Semiconductors |
РЧ МОП-транзисторы RF Power GaN Trnsitr 1805-2200 MHz 79W48V |
Добавить в запрос
|
|
|
A3G22H400-04SR3 |
|
NXP Semiconductors |
РЧ МОП-транзисторы RF Power GaN Trnsitr 1805-2200 MHz 79W48V |
Добавить в запрос
|
|
|
A3G22H400-04SR3 |
|
NXP Semiconductors |
РЧ МОП-транзисторы RF Power GaN Trnsitr 1805-2200 MHz 79W48V |
Добавить в запрос
|
|
A3G26H501W17SR3 |
|
NXP Semiconductors |
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом Airfast RF Power GaN Transistor, 2496-2690 MHz, 56 W Avg., 48 V |
Добавить в запрос
|
|
|
A3G26H501W17SR3 |
|
NXP Semiconductors |
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом Airfast RF Power GaN Transistor, 2496-2690 MHz, 56 W Avg., 48 V |
Добавить в запрос
|
|
A3G35H100-04SR3 |
|
NXP Semiconductors |
РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power GaN Transistor, 3400-3600 MHz, 14 W Avg., 48 V |
Добавить в запрос
|
|
|
A3G35H100-04SR3 |
|
NXP Semiconductors |
РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power GaN Transistor, 3400-3600 MHz, 14 W Avg., 48 V |
Добавить в запрос
|
|
|
A3G35H100-04SR3 |
|
NXP Semiconductors |
РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power GaN Transistor, 3400-3600 MHz, 14 W Avg., 48 V |
Добавить в запрос
|
|
A3I35D012WGNR1 |
|
NXP Semiconductors |
РЧ-усилитель Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 3200-4000 MHz, 1.8 W Avg., 28 V |
Добавить в запрос
|
|
|
A3I35D012WGNR1 |
|
NXP Semiconductors |
РЧ-усилитель Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 3200-4000 MHz, 1.8 W Avg., 28 V |
Добавить в запрос
|
|
|
A3I35D012WGNR1 |
|
NXP Semiconductors |
РЧ-усилитель Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 3200-4000 MHz, 1.8 W Avg., 28 V |
Добавить в запрос
|
|
|
A3I35D012WGNR1 |
|
NXP Semiconductors |
РЧ-усилитель Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 3200-4000 MHz, 1.8 W Avg., 28 V |
Добавить в запрос
|
|
A3I35D012WNR1 |
|
NXP Semiconductors |
РЧ-усилитель Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 3200-4000 MHz, 1.8 W Avg., 28 V |
Добавить в запрос
|
|
|
A3I35D012WNR1 |
|
NXP Semiconductors |
РЧ-усилитель Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 3200-4000 MHz, 1.8 W Avg., 28 V |
Добавить в запрос
|
|
|
A3I35D012WNR1 |
|
NXP Semiconductors |
РЧ-усилитель Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 3200-4000 MHz, 1.8 W Avg., 28 V |
Добавить в запрос
|
|
|
A3I35D012WNR1 |
|
NXP Semiconductors |
РЧ-усилитель Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 3200-4000 MHz, 1.8 W Avg., 28 V |
Добавить в запрос
|
|
A3I35D025WGNR1 |
|
NXP Semiconductors |
РЧ-усилитель LDMOS Wdbnd Pwr Amp 3200-4000 MH 3.4W28V |
Добавить в запрос
|
|
|
A3I35D025WGNR1 |
|
NXP Semiconductors |
РЧ-усилитель LDMOS Wdbnd Pwr Amp 3200-4000 MH 3.4W28V |
Добавить в запрос
|
