  | 8MMINID4-EVK |  | NXP Semiconductors | Макетные платы и комплекты - ARM 8MMINID4-EVK | Добавить в запрос |
  | 8MMINILPD4-EVK | | NXP Semiconductors | Макетные платы и комплекты - ARM 8MMINILPD4-EVK | Добавить в запрос |
  | A1006TL/TA1NXZ | | NXP Semiconductors | ИС для схем безопасности / ИС для авторизации Secure Authenticator | Добавить в запрос |
| | A1006TL/TA1NXZ | | NXP Semiconductors | ИС для схем безопасности / ИС для авторизации Secure Authenticator | Добавить в запрос |
  | A1006UK/TA1NXZ | | NXP Semiconductors | ИС для схем безопасности / ИС для авторизации Secure Authenticator | Добавить в запрос |
| | A1006UK/TA1NXZ | | NXP Semiconductors | ИС для схем безопасности / ИС для авторизации Secure Authenticator | Добавить в запрос |
  | A2G22S190-01SR3 | | NXP Semiconductors | РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power GaN Transistor, 1800-2200 MHz, 36 W Avg., 48 V | Добавить в запрос |
| | A2G22S190-01SR3 | | NXP Semiconductors | РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power GaN Transistor, 1800-2200 MHz, 36 W Avg., 48 V | Добавить в запрос |
| | A2G22S190-01SR3 | | NXP Semiconductors | РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power GaN Transistor, 1800-2200 MHz, 36 W Avg., 48 V | Добавить в запрос |
| | A2G22S190-01SR3 | | NXP Semiconductors | РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power GaN Transistor, 1800-2200 MHz, 36 W Avg., 48 V | Добавить в запрос |
  | A2G26H281-04SR3 | | NXP Semiconductors | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом Airfast RF Power GaN Transistor, 2496-2690 MHz, 50 W Avg., 48 V | Добавить в запрос |
| | A2G26H281-04SR3 | | NXP Semiconductors | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом Airfast RF Power GaN Transistor, 2496-2690 MHz, 50 W Avg., 48 V | Добавить в запрос |
  | A2I09VD015GNR1 | | NXP Semiconductors | РЧ-усилитель Airfast RF Power LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 575-960 MHz, 2 W Avg., 48 V | Добавить в запрос |
| | A2I09VD015GNR1 | | NXP Semiconductors | РЧ-усилитель Airfast RF Power LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 575-960 MHz, 2 W Avg., 48 V | Добавить в запрос |
| | A2I09VD015GNR1 | | NXP Semiconductors | РЧ-усилитель Airfast RF Power LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 575-960 MHz, 2 W Avg., 48 V | Добавить в запрос |
| | A2I09VD015GNR1 | | NXP Semiconductors | РЧ-усилитель Airfast RF Power LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 575-960 MHz, 2 W Avg., 48 V | Добавить в запрос |
  | A2I09VD015NR1 | | NXP Semiconductors | РЧ-усилитель Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 575-960 MHz, 2 W Avg., 48 V | Добавить в запрос |
| | A2I09VD015NR1 | | NXP Semiconductors | РЧ-усилитель Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 575-960 MHz, 2 W Avg., 48 V | Добавить в запрос |
| | A2I09VD015NR1 | | NXP Semiconductors | РЧ-усилитель Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 575-960 MHz, 2 W Avg., 48 V | Добавить в запрос |
| | A2I09VD015NR1 | | NXP Semiconductors | РЧ-усилитель Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 575-960 MHz, 2 W Avg., 48 V | Добавить в запрос |
