| A2I09VD050GNR1 | | NXP Semiconductors | РЧ-усилитель Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 575-960 MHz, 6.3 W Avg., 48 V | Добавить в запрос |
| A2I09VD050GNR1 | | NXP Semiconductors | РЧ-усилитель Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 575-960 MHz, 6.3 W Avg., 48 V | Добавить в запрос |
| A2I09VD050GNR1 | | NXP Semiconductors | РЧ-усилитель Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 575-960 MHz, 6.3 W Avg., 48 V | Добавить в запрос |
| A2I09VD050GNR1 | | NXP Semiconductors | РЧ-усилитель Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 575-960 MHz, 6.3 W Avg., 48 V | Добавить в запрос |
| A2I09VD050NR1 | | NXP Semiconductors | РЧ-усилитель Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 575-960 MHz, 6.3 W Avg., 48 V | Добавить в запрос |
| A2I09VD050NR1 | | NXP Semiconductors | РЧ-усилитель Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 575-960 MHz, 6.3 W Avg., 48 V | Добавить в запрос |
| A2I09VD050NR1 | | NXP Semiconductors | РЧ-усилитель Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 575-960 MHz, 6.3 W Avg., 48 V | Добавить в запрос |
| A2I09VD050NR1 | | NXP Semiconductors | РЧ-усилитель Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 575-960 MHz, 6.3 W Avg., 48 V | Добавить в запрос |
| A2T08VD021NT1 |  | NXP Semiconductors | РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 728 960 MHz, 2 W Avg., 48 V | Добавить в запрос |
| A2T08VD021NT1 |  | NXP Semiconductors | РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 728 960 MHz, 2 W Avg., 48 V | Добавить в запрос |
| A2T18S166W12SR3 |  | NXP Semiconductors | РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1805-1995 MHz, 38 W Avg., 28 V | Добавить в запрос |
| A2T18S166W12SR3 |  | NXP Semiconductors | РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1805-1995 MHz, 38 W Avg., 28 V | Добавить в запрос |
| A2T18S166W12SR3 |  | NXP Semiconductors | РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1805-1995 MHz, 38 W Avg., 28 V | Добавить в запрос |
| A2T18S262W12NR3 |  | NXP Semiconductors | РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor 1805-1880 MHz, 56 W Avg., 28 V | Добавить в запрос |
| A2T18S262W12NR3 |  | NXP Semiconductors | РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor 1805-1880 MHz, 56 W Avg., 28 V | Добавить в запрос |
| A2T18S262W12NR3 |  | NXP Semiconductors | РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor 1805-1880 MHz, 56 W Avg., 28 V | Добавить в запрос |
| A2T21H140-24SR3 | | NXP Semiconductors | РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor 2110-2170 MHz, 36 W Avg., 28 V | Добавить в запрос |
| A2T21H140-24SR3 | | NXP Semiconductors | РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor 2110-2170 MHz, 36 W Avg., 28 V | Добавить в запрос |
| A2T21H140-24SR3 | | NXP Semiconductors | РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor 2110-2170 MHz, 36 W Avg., 28 V | Добавить в запрос |
| A2T21H140-24SR3 | | NXP Semiconductors | РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor 2110-2170 MHz, 36 W Avg., 28 V | Добавить в запрос |