|
A2I09VD050GNR1 |
|
NXP Semiconductors |
РЧ-усилитель Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 575-960 MHz, 6.3 W Avg., 48 V |
Добавить в запрос
|
|
|
A2I09VD050GNR1 |
|
NXP Semiconductors |
РЧ-усилитель Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 575-960 MHz, 6.3 W Avg., 48 V |
Добавить в запрос
|
|
|
A2I09VD050GNR1 |
|
NXP Semiconductors |
РЧ-усилитель Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 575-960 MHz, 6.3 W Avg., 48 V |
Добавить в запрос
|
|
|
A2I09VD050GNR1 |
|
NXP Semiconductors |
РЧ-усилитель Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 575-960 MHz, 6.3 W Avg., 48 V |
Добавить в запрос
|
|
A2I09VD050NR1 |
|
NXP Semiconductors |
РЧ-усилитель Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 575-960 MHz, 6.3 W Avg., 48 V |
Добавить в запрос
|
|
|
A2I09VD050NR1 |
|
NXP Semiconductors |
РЧ-усилитель Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 575-960 MHz, 6.3 W Avg., 48 V |
Добавить в запрос
|
|
|
A2I09VD050NR1 |
|
NXP Semiconductors |
РЧ-усилитель Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 575-960 MHz, 6.3 W Avg., 48 V |
Добавить в запрос
|
|
|
A2I09VD050NR1 |
|
NXP Semiconductors |
РЧ-усилитель Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 575-960 MHz, 6.3 W Avg., 48 V |
Добавить в запрос
|
|
A2T08VD021NT1 |
|
NXP Semiconductors |
РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 728 960 MHz, 2 W Avg., 48 V |
Добавить в запрос
|
|
|
A2T08VD021NT1 |
|
NXP Semiconductors |
РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 728 960 MHz, 2 W Avg., 48 V |
Добавить в запрос
|
|
A2T18S166W12SR3 |
|
NXP Semiconductors |
РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1805-1995 MHz, 38 W Avg., 28 V |
Добавить в запрос
|
|
|
A2T18S166W12SR3 |
|
NXP Semiconductors |
РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1805-1995 MHz, 38 W Avg., 28 V |
Добавить в запрос
|
|
|
A2T18S166W12SR3 |
|
NXP Semiconductors |
РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1805-1995 MHz, 38 W Avg., 28 V |
Добавить в запрос
|
|
A2T18S262W12NR3 |
|
NXP Semiconductors |
РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor 1805-1880 MHz, 56 W Avg., 28 V |
Добавить в запрос
|
|
|
A2T18S262W12NR3 |
|
NXP Semiconductors |
РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor 1805-1880 MHz, 56 W Avg., 28 V |
Добавить в запрос
|
|
|
A2T18S262W12NR3 |
|
NXP Semiconductors |
РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor 1805-1880 MHz, 56 W Avg., 28 V |
Добавить в запрос
|
|
A2T21H140-24SR3 |
|
NXP Semiconductors |
РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor 2110-2170 MHz, 36 W Avg., 28 V |
Добавить в запрос
|
|
|
A2T21H140-24SR3 |
|
NXP Semiconductors |
РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor 2110-2170 MHz, 36 W Avg., 28 V |
Добавить в запрос
|
|
|
A2T21H140-24SR3 |
|
NXP Semiconductors |
РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor 2110-2170 MHz, 36 W Avg., 28 V |
Добавить в запрос
|
|
|
A2T21H140-24SR3 |
|
NXP Semiconductors |
РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor 2110-2170 MHz, 36 W Avg., 28 V |
Добавить в запрос
|
