|
8MMINID4-EVK |
|
NXP Semiconductors |
Макетные платы и комплекты - ARM 8MMINID4-EVK |
Добавить в запрос
|
|
8MMINILPD4-EVK |
|
NXP Semiconductors |
Макетные платы и комплекты - ARM 8MMINILPD4-EVK |
Добавить в запрос
|
|
A1006TL/TA1NXZ |
|
NXP Semiconductors |
ИС для схем безопасности / ИС для авторизации Secure Authenticator |
Добавить в запрос
|
|
|
A1006TL/TA1NXZ |
|
NXP Semiconductors |
ИС для схем безопасности / ИС для авторизации Secure Authenticator |
Добавить в запрос
|
|
A1006UK/TA1NXZ |
|
NXP Semiconductors |
ИС для схем безопасности / ИС для авторизации Secure Authenticator |
Добавить в запрос
|
|
|
A1006UK/TA1NXZ |
|
NXP Semiconductors |
ИС для схем безопасности / ИС для авторизации Secure Authenticator |
Добавить в запрос
|
|
A2G22S190-01SR3 |
|
NXP Semiconductors |
РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power GaN Transistor, 1800-2200 MHz, 36 W Avg., 48 V |
Добавить в запрос
|
|
|
A2G22S190-01SR3 |
|
NXP Semiconductors |
РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power GaN Transistor, 1800-2200 MHz, 36 W Avg., 48 V |
Добавить в запрос
|
|
|
A2G22S190-01SR3 |
|
NXP Semiconductors |
РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power GaN Transistor, 1800-2200 MHz, 36 W Avg., 48 V |
Добавить в запрос
|
|
|
A2G22S190-01SR3 |
|
NXP Semiconductors |
РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power GaN Transistor, 1800-2200 MHz, 36 W Avg., 48 V |
Добавить в запрос
|
|
A2G26H281-04SR3 |
|
NXP Semiconductors |
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом Airfast RF Power GaN Transistor, 2496-2690 MHz, 50 W Avg., 48 V |
Добавить в запрос
|
|
|
A2G26H281-04SR3 |
|
NXP Semiconductors |
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом Airfast RF Power GaN Transistor, 2496-2690 MHz, 50 W Avg., 48 V |
Добавить в запрос
|
|
A2I09VD015GNR1 |
|
NXP Semiconductors |
РЧ-усилитель Airfast RF Power LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 575-960 MHz, 2 W Avg., 48 V |
Добавить в запрос
|
|
|
A2I09VD015GNR1 |
|
NXP Semiconductors |
РЧ-усилитель Airfast RF Power LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 575-960 MHz, 2 W Avg., 48 V |
Добавить в запрос
|
|
|
A2I09VD015GNR1 |
|
NXP Semiconductors |
РЧ-усилитель Airfast RF Power LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 575-960 MHz, 2 W Avg., 48 V |
Добавить в запрос
|
|
|
A2I09VD015GNR1 |
|
NXP Semiconductors |
РЧ-усилитель Airfast RF Power LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 575-960 MHz, 2 W Avg., 48 V |
Добавить в запрос
|
|
A2I09VD015NR1 |
|
NXP Semiconductors |
РЧ-усилитель Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 575-960 MHz, 2 W Avg., 48 V |
Добавить в запрос
|
|
|
A2I09VD015NR1 |
|
NXP Semiconductors |
РЧ-усилитель Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 575-960 MHz, 2 W Avg., 48 V |
Добавить в запрос
|
|
|
A2I09VD015NR1 |
|
NXP Semiconductors |
РЧ-усилитель Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 575-960 MHz, 2 W Avg., 48 V |
Добавить в запрос
|
|
|
A2I09VD015NR1 |
|
NXP Semiconductors |
РЧ-усилитель Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 575-960 MHz, 2 W Avg., 48 V |
Добавить в запрос
|
