РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом [4]

Фильтрация

Если применить фильтр: 0

Производитель

Тип транзистора

Технология

Усиление

Полярность транзистора

Vds - напряжение пробоя сток-исток

Vds - напряжение пробоя затвор-исток

Id - непрерывный ток утечки

Выходная мощность

Максимальное напряжение сток-затвор

Минимальная рабочая температура

Максимальная рабочая температура

Pd - рассеивание мощности

Вид монтажа

Упаковка / блок

Упаковка

Сбросить фильтрацию

CGHV40320D-GP4	Wolfspeed / Cree	РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT Die DC-4.0GHz, 320 Watt	Добавить в запрос
CGHV50200F	Wolfspeed / Cree	РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT 4.4-5.0GHz, 200 Watt	Добавить в запрос
CGHV59070F	Wolfspeed / Cree	РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT 4.4-5.9GHz, 70 Watt	Добавить в запрос
CGHV59350F	Wolfspeed / Cree	РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT 5.2-5.9GHz, 350 Watt	Добавить в запрос
CGHV60040D	Wolfspeed / Cree	РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 40 Watt	Добавить в запрос
CGHV60075D5	Wolfspeed / Cree	РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 75 Watt	Добавить в запрос
CGHV60170D	Wolfspeed / Cree	РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 170 Watt	Добавить в запрос
CGHV96050F1	Wolfspeed / Cree	РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT 7.9-9.6GHz, 50 Watt	Добавить в запрос
CGHV96050F2	Wolfspeed / Cree	РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT 7.9-9.6GHz, 50 Watt	Добавить в запрос
CGHV96100F2	Wolfspeed / Cree	РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT 7.9-9.6GHz, 100 Watt	Добавить в запрос
GTVA104001FA-V1-R0	Wolfspeed / Cree	РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT 50V 0.9-1.2GHz 400W	Добавить в запрос
GTVA107001EC-V1-R0	Wolfspeed / Cree	РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT 50V 0.9-1.2GHz 700W	Добавить в запрос
GTVA107001EC-V1-R250	Wolfspeed / Cree	РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT 50V 0.9-1.2GHz 700W	Добавить в запрос
GTVA123501FA-V1-R0	Wolfspeed / Cree	РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT 50V 1.2-1.4GHz 350W	Добавить в запрос
GTVA126001EC-V1-R0	Wolfspeed / Cree	РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT 50V 1.2-1.4GHz 600W	Добавить в запрос
GTVA220701FA-V1-R0	Wolfspeed / Cree	РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом RF LDMOS FET	Добавить в запрос
GTVA220701FA-V1-R2	Wolfspeed / Cree	РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом RF LDMOS FET	Добавить в запрос
GTVA261701FA-V1-R0	Wolfspeed / Cree	РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом RF LDMOS FET	Добавить в запрос
GTVA261701FA-V1-R2	Wolfspeed / Cree	РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом RF LDMOS FET	Добавить в запрос
GTVA263202FC-V1-R0	Wolfspeed / Cree	РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом RF LDMOS FET	Добавить в запрос
GTVA263202FC-V1-R2	Wolfspeed / Cree	РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом RF LDMOS FET	Добавить в запрос
J211-D74Z	ON Semiconductor / Fairchild	РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом NCh RF Transistor	Добавить в запрос
MAAM-009455-TR1000	MACOM	РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 50-1000MHz Gain 20dB NF=5.5dB	Добавить в запрос
MAAM-009455-TR3000	MACOM	РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 50-1000MHz Gain 20dB NF=5.5dB	Добавить в запрос