РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом

Фильтрация

Если применить фильтр: 0

Производитель

Тип транзистора

Технология

Усиление

Полярность транзистора

Vds - напряжение пробоя сток-исток

Vds - напряжение пробоя затвор-исток

Id - непрерывный ток утечки

Выходная мощность

Максимальное напряжение сток-затвор

Минимальная рабочая температура

Максимальная рабочая температура

Pd - рассеивание мощности

Вид монтажа

Упаковка / блок

Упаковка

Сбросить фильтрацию

	TGF3015-SM		Qorvo	РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом .03-3GHz Gain 17dB P3dB 9.3W@2.4GHz GaN	Добавить в запрос
	XF1001-SC-EV1		MACOM	РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом MIMIX 1W Packaged HFET Eval Module	Добавить в запрос