Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) [38]

Фильтрация

Если применить фильтр: 0

Производитель

Технология

Упаковка / блок

Вид монтажа

Конфигурация

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

Непрерывный коллекторный ток при 25 C

Pd - рассеивание мощности

Минимальная рабочая температура

Максимальная рабочая температура

Серия

Квалификация

Упаковка

Сбросить фильтрацию

IXBH5N160G	IXYS	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 5 Amps 1600V	Добавить в запрос
IXBH6N170	IXYS	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 12 Amps 1700V 3.6 Rds	Добавить в запрос
IXBH9N160G	IXYS	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 9 Amps 1600V	Добавить в запрос
IXBK55N300	IXYS	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISC IGBT BIMSFT-VERYHIVOLT	Добавить в запрос
IXBK75N170	IXYS	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) BIMOSFETS 1700V 200A	Добавить в запрос
IXBK75N170A	IXYS	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 65Amps 1700V	Добавить в запрос
IXBL60N360	IXYS	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 3600V/92A Rev Conducting IGBT	Добавить в запрос
IXBL64N250	IXYS	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) MOSFET 2500V 46A ISOPLUS I5-PAK	Добавить в запрос
IXBN42N170A	IXYS	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 42 Amps 1700V 6.0 V Rds	Добавить в запрос
IXBN75N170A	IXYS	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 75 Amps 1700V 6.00 Rds	Добавить в запрос
IXBP5N160G	IXYS	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 5 Amps 1600V	Добавить в запрос
IXBR42N170	IXYS	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 57Amps 1700V	Добавить в запрос
IXBT10N170	IXYS	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 10 Amps 1700V 2.3 Rds	Добавить в запрос
IXBT12N300HV	IXYS	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISC IGBT BIMSFT-VERYHIVOLT	Добавить в запрос
IXBT16N170A	IXYS	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1700V 16A	Добавить в запрос
IXBT16N170AHV	IXYS	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISC IGBT BIMOSFET-HIGH VOLT	Добавить в запрос
IXBT24N170	IXYS	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) BiMOSFETs/Reverse Conducting IGBTs	Добавить в запрос
IXBT2N250	IXYS	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISC IGBT BIMSFT-VERYHIVOLT	Добавить в запрос
IXBT42N170	IXYS	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) BIMOSFET 1700V 75A	Добавить в запрос
IXBT6N170	IXYS	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 12 Amps 1700V 3.6 Rds	Добавить в запрос
IXBX25N250	IXYS	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISC IGBT BIMSFT-VERYHIVOLT	Добавить в запрос
IXBX50N360HV	IXYS	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 3600V/125A Reverse Conducting IGBT	Добавить в запрос
IXBX75N170	IXYS	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) BIMOSFETS 1700V 200A	Добавить в запрос
IXBX75N170A	IXYS	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 65Amps 1700V	Добавить в запрос