Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) [37]

Фильтрация

Если применить фильтр: 0

Производитель

Технология

Упаковка / блок

Вид монтажа

Конфигурация

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

Непрерывный коллекторный ток при 25 C

Pd - рассеивание мощности

Минимальная рабочая температура

Максимальная рабочая температура

Серия

Квалификация

Упаковка

Сбросить фильтрацию

IXA4IF1200UC	IXYS	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) XPT IGBT Copack	Добавить в запрос
IXA4IF1200UC-TUB	IXYS	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISC IGBT XPT-GENX3	Добавить в запрос
IXA55I1200HJ	IXYS	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) XPT 1200V 84A Single IGBT	Добавить в запрос
IXB200I600NA	IXYS	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) XPT Single IGBT	Добавить в запрос
IXB80IF600NA	IXYS	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) XPT Single IGBT	Добавить в запрос
IXBF20N300	IXYS	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISC IGBT BIMSFT-VERYHIVOLT	Добавить в запрос
IXBF20N360	IXYS	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 3600V/45A Reverse Conducting IGBT	Добавить в запрос
IXBF32N300	IXYS	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
IXBF40N160	IXYS	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 40 Amps 1600V	Добавить в запрос
IXBF50N360	IXYS	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 3600V/70A Reverse Conducting IGBT	Добавить в запрос
IXBF55N300	IXYS	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) High Voltage High Gain BIMOSFET	Добавить в запрос
IXBF9N160G	IXYS	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 9 Amps 1600V 1600V 9A	Добавить в запрос
IXBH10N170	IXYS	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 10 Amps 1700V 2.3 Rds	Добавить в запрос
IXBH10N300HV	IXYS	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISC IGBT BIMSFT-VERYHIVOLT	Добавить в запрос
IXBH12N300	IXYS	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISC IGBT BIMSFT-VERYHIVOLT	Добавить в запрос
IXBH16N170	IXYS	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1700V 25A	Добавить в запрос
IXBH16N170A	IXYS	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1700V 16A	Добавить в запрос
IXBH20N300	IXYS	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISC IGBT BIMSFT-VERYHIVOLT	Добавить в запрос
IXBH24N170	IXYS	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) BIMOSFETS 1700V 60A	Добавить в запрос
IXBH28N170A	IXYS	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 30Amps 1700V	Добавить в запрос
IXBH40N160	IXYS	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1600V 33A	Добавить в запрос
IXBH42N170	IXYS	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1700V 75A	Добавить в запрос
IXBH42N170A	IXYS	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) BIMOSET 42A 1700V	Добавить в запрос
IXBH42N250	IXYS	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISC IGBT BIMSFT-VERYHIVOLT	Добавить в запрос