Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) [32]

Фильтрация

Если применить фильтр: 0

Производитель

Технология

Упаковка / блок

Вид монтажа

Конфигурация

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

Непрерывный коллекторный ток при 25 C

Pd - рассеивание мощности

Минимальная рабочая температура

Максимальная рабочая температура

Серия

Квалификация

Упаковка

Сбросить фильтрацию

IRG4PF50WDPBF	Infineon Technologies	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 900V Warp 20-100kHz	Добавить в запрос
IRG4PF50WPBF	Infineon Technologies	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 900V Warp 20-100kHz	Добавить в запрос
IRG4PH20KDPBF	Infineon Technologies	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V UltraFast 4-20kHz	Добавить в запрос
IRG4PH20KPBF	Infineon Technologies	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V UltraFast 4-20kHz	Добавить в запрос
IRG4PH30KDPBF	Infineon / IR	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V ULTRAFAST 4-20 KHZ COPACK IGBT	Добавить в запрос
IRG4PH30KPBF	Infineon / IR	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V ULTRAFAST 4-20KHZ DSCRETE IGBT	Добавить в запрос
IRG4PH40KDPBF	Infineon Technologies	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V ULTRAFAST 4-20 KHZ COPACK IGBT	Добавить в запрос
IRG4PH40KPBF	Infineon Technologies	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V ULTRAFAST 4-20KHZ DSCRETE IGBT	Добавить в запрос
IRG4PH40UD2-EP	Infineon Technologies	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V UltraFast 5-40kHz	Добавить в запрос
IRG4PH40UDPBF	Infineon Technologies	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V UltraFast 5-40kHz	Добавить в запрос
IRG4PH40UPBF	Infineon Technologies	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V UltraFast 5-40kHz	Добавить в запрос
IRG4PH50KDPBF	Infineon Technologies	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V ULTRAFAST 4-20 KHZ COPACK IGBT	Добавить в запрос
IRG4PH50KPBF	Infineon Technologies	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V ULTRAFAST 4-20KHZ DSCRETE IGBT	Добавить в запрос
IRG4PH50SPBF	Infineon / IR	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V DC-1kHz	Добавить в запрос
IRG4PH50UDPBF	Infineon Technologies	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V ULTRAFAST 5-40 KHZ COPACK IGBT	Добавить в запрос
IRG4PH50UPBF	Infineon Technologies	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V ULTRAFAST 5-40KHZ DSCRETE IGBT	Добавить в запрос
IRG4PSC71KDPBF	Infineon Technologies	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V UltraFast 8-25kHz	Добавить в запрос
IRG4PSC71UDPBF	Infineon Technologies	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V UltraFast 8-60kHz	Добавить в запрос
IRG4PSH71KDPBF	Infineon Technologies	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V UltraFast 4-20kHz	Добавить в запрос
IRG4PSH71UDPBF	Infineon Technologies	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V UltraFast 4-20kHz	Добавить в запрос
IRG6B330UDPBF	Infineon / IR	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT DISCRETES	Добавить в запрос
IRG7CH30K10EF	Infineon Technologies	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT CHIPS	Добавить в запрос
IRG7CH37K10EF	Infineon Technologies	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT CHIPS	Добавить в запрос
IRG7CH44K10EF	Infineon Technologies	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT CHIPS	Добавить в запрос