Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) [30]

Фильтрация

Если применить фильтр: 0

Производитель

Технология

Упаковка / блок

Вид монтажа

Конфигурация

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

Непрерывный коллекторный ток при 25 C

Pd - рассеивание мощности

Минимальная рабочая температура

Максимальная рабочая температура

Серия

Квалификация

Упаковка

Сбросить фильтрацию

IRG4BC30FD-SPBF	Infineon / IR	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V HYPERFAST 1-8 KHZ CO-PACK IGBT	Добавить в запрос
IRG4BC30FDPBF	Infineon Technologies	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V Fast 1-8kHz	Добавить в запрос
IRG4BC30FPBF	Infineon Technologies	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V Fast 1-8kHz	Добавить в запрос
IRG4BC30KD-SPBF	Infineon Technologies	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V ULTRAFAST 8-25 KHZ COPACK IGBT	Добавить в запрос
IRG4BC30KDPBF	Infineon Technologies	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V UltraFast 8-25kHz	Добавить в запрос
IRG4BC30KPBF	Infineon Technologies	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V UltraFast 8-25kHz	Добавить в запрос
IRG4BC30SPBF	Infineon Technologies	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V DC-1 KHZ (STD) DISCRETE IGBT	Добавить в запрос
IRG4BC30UDPBF	Infineon Technologies	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V UltraFast 8-60kHz	Добавить в запрос
IRG4BC30UPBF	Infineon Technologies	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V ULTRAFAST 8-60KHZ DSCRETE IGBT	Добавить в запрос
IRG4BC30W-SPBF	Infineon Technologies	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V WARP 60-150 KHZ DISCRETE IGBT	Добавить в запрос
IRG4BC30WPBF	Infineon Technologies	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V Warp 60-150kHz	Добавить в запрос
IRG4BC40FPBF	Infineon / IR	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V Fast 1-8kHz	Добавить в запрос
IRG4BC40KPBF	Infineon Technologies	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V ULTRAFAST 8-25KHZ DSCRETE IGBT	Добавить в запрос
IRG4BC40SPBF	Infineon Technologies	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V DC-1 KHZ (STD) DISCRETE IGBT	Добавить в запрос
IRG4BC40UPBF	Infineon Technologies	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V UltraFast 8-60kHz	Добавить в запрос
IRG4BC40W-LPBF	Infineon Technologies	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V Warp 60-150kHz	Добавить в запрос
IRG4BC40W-SPBF	Infineon Technologies	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V WARP 60-150 KHZ DISCRETE IGBT	Добавить в запрос
IRG4BC40WPBF	Infineon / IR	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V Warp 60-150kHz	Добавить в запрос
IRG4BH20K-SPBF	Infineon / IR	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V ULTRAFAST 4-20KHZ DSCRETE IGBT	Добавить в запрос
IRG4IBC10UDPBF	Infineon Technologies	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V UltraFast 8-60kHz	Добавить в запрос
IRG4IBC20FDPBF	Infineon Technologies	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V Fast 1-8kHz	Добавить в запрос
IRG4IBC20KDPBF	Infineon / IR	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V UltraFast 8-25kHz	Добавить в запрос
IRG4IBC30KDPBF	Infineon Technologies	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V UltraFast 8-25kHz	Добавить в запрос
IRG4IBC30UDPBF	Infineon Technologies	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V UltraFast 8-60kHz	Добавить в запрос