QPD1011SR

Тип транзистора HEMT

Технология GaN SiC

Усиление 21 dB

Полярность транзистора N-Channel

Vds - напряжение пробоя сток-исток 50 V

Vds - напряжение пробоя затвор-исток 145 V

Id - непрерывный ток утечки 1.46 A

Выходная мощность 8.7 W

Максимальное напряжение сток-затвор 55 V

Минимальная рабочая температура - 40 C

Максимальная рабочая температура + 85 C

Pd - рассеивание мощности 13 W

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок SMD-8

Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel