РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом [1]

Фильтрация

Если применить фильтр: 0

Производитель

Тип транзистора

Технология

Усиление

Полярность транзистора

Vds - напряжение пробоя сток-исток

Vds - напряжение пробоя затвор-исток

Id - непрерывный ток утечки

Выходная мощность

Максимальное напряжение сток-затвор

Минимальная рабочая температура

Максимальная рабочая температура

Pd - рассеивание мощности

Вид монтажа

Упаковка / блок

Упаковка

Сбросить фильтрацию

2N3819	Central Semiconductor	РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом N-CH -25V 10mA BULK Engineering Hold	Добавить в запрос
2N5952	Central Semiconductor	РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом NPN RF Amp Engineering Hold	Добавить в запрос
2SK3557-6-TB-E	ON Semiconductor	РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом LOW-FREQUENCY AMPLIFIER	Добавить в запрос
A2G22S160-01SR3	NXP / Freescale	РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом Airfast RF Power GaN Transistor, 1800-2200 MHz, 32 W Avg., 48 V	Добавить в запрос
A2G26H280-04SR3	NXP / Freescale	РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом Airfast RF Power GaN Transistor, 2496-2690 MHz, 50 W Avg., 48 V	Добавить в запрос
BF510,215	NXP Semiconductors	РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом TAPE7 FET-RFSS	Добавить в запрос
BF861B,215	NXP Semiconductors	РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом JFET N-CH 25V 10MA	Добавить в запрос
BF861B,235	NXP Semiconductors	РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом N-Channel Single '+/- 25V 15mA	Добавить в запрос
BF861C,215	NXP Semiconductors	РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом JFET N-CH 25V 10mA	Добавить в запрос
BFR31,235	NXP Semiconductors	РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом N-Channel Single '+/- 25V 5mA	Добавить в запрос
CE3512K2	CEL	РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C	Добавить в запрос
CE3512K2-C1	CEL	РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C	Добавить в запрос
CE3514M4	CEL	РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 12GHz NF .42dB Ga 12.2dB -55C +125C	Добавить в запрос
CE3520K3	CEL	РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 20GHz NF .55dB Ga 13.8dB -55C +125C	Добавить в запрос
CE3520K3-C1	CEL	РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 20GHz NF .55dB Ga 13.8dB -55C +125C	Добавить в запрос
CE3521M4	CEL	РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 20GHz NF .70dB Ga 11.9dB -55C +125C	Добавить в запрос
CG2H30070F	Wolfspeed / Cree	РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT DC-2.0GHz, 60 Watt	Добавить в запрос
CG2H30070F-TB2	Wolfspeed / Cree	РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом Test Board without GaN HEMT	Добавить в запрос
CG2H40010F	Wolfspeed / Cree	РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT DC-8.0GHz, 10 Watt	Добавить в запрос
CG2H40025F	Wolfspeed / Cree	РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT DC-6.0GHz, 25 Watt	Добавить в запрос
CG2H40045F	Wolfspeed / Cree	РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT DC-4.0GHz, 45 Watt	Добавить в запрос
CG2H40120F	Wolfspeed / Cree	РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT 28V DC-4.0GHz 120W	Добавить в запрос
CG2H80015D-GP4	Wolfspeed / Cree	РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT Die DC-8.0GHz, 15 Watt	Добавить в запрос
CG2H80030D-GP4	Wolfspeed / Cree	РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT Die DC-8.0GHz, 30 Watt	Добавить в запрос