Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы РЧ / РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом / CGHV1J070D-GP4
Есть ROHS
Описание:
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT Die DC-18GHz, 70 Watt
Характеристики
Тип транзистора HEMT
Технология GaN SiC
Усиление 17 dB
Полярность транзистора N-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток 100 V
Vds - напряжение пробоя затвор-исток - 10 V to 2 V
Id - непрерывный ток утечки 6 A
Выходная мощность 70 W
Максимальное напряжение сток-затвор Неизвестно
Минимальная рабочая температура Неизвестно
Максимальная рабочая температура + 225 C
Pd - рассеивание мощности Неизвестно
Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок Die
Упаковка Gel Pack
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
