Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы РЧ / РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом / QPD1017
Есть ROHS
Описание:
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 500 Watt, 50 Volt, 3.1 - 3.5 GHz, GaN RF IMFET
Характеристики
Тип транзистора HEMT
Технология GaN SiC
Усиление 15.7 dB
Полярность транзистора N-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток Неизвестно
Vds - напряжение пробоя затвор-исток Неизвестно
Id - непрерывный ток утечки 20 A
Выходная мощность 460 W
Максимальное напряжение сток-затвор 55 V
Минимальная рабочая температура - 40 C
Максимальная рабочая температура + 85 C
Pd - рассеивание мощности 511 W
Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок 17.4 mm x 24 mm x 4.31 mm
Упаковка Неизвестно
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
