Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы РЧ / РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом / NPTB00004A
Есть ROHS
Описание:
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-6.0GHz 5W Gain 16dB GaN HEMT
Характеристики
Тип транзистора HEMT
Технология GaN Si
Усиление 16 dB
Полярность транзистора N-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток 100 V
Vds - напряжение пробоя затвор-исток Неизвестно
Id - непрерывный ток утечки 1.4 A
Выходная мощность Неизвестно
Максимальное напряжение сток-затвор Неизвестно
Минимальная рабочая температура Неизвестно
Максимальная рабочая температура + 200 C
Pd - рассеивание мощности 11.6 W
Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок SOIC-8
Упаковка Tray
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
