TGF2080

Тип транзистора pHEMT

Технология GaAs

Усиление 11.5 dB

Полярность транзистора Неизвестно

Vds - напряжение пробоя сток-исток 12 V

Vds - напряжение пробоя затвор-исток - 7 V

Id - непрерывный ток утечки 259 mA

Выходная мощность Неизвестно

Максимальное напряжение сток-затвор - 12 V

Минимальная рабочая температура - 65 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Pd - рассеивание мощности 4.2 W

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок Неизвестно

Упаковка Gel Pack