Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы РЧ / РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом / NPT2022
Есть ROHS
Описание:
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-2.0GHz 100W Gain 20dB GaN HEMT
Характеристики
Тип транзистора HEMT
Технология GaN Si
Усиление 21 dB
Полярность транзистора N-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток 160 V
Vds - напряжение пробоя затвор-исток 3 V
Id - непрерывный ток утечки 24 mA
Выходная мощность 100 W
Максимальное напряжение сток-затвор Неизвестно
Минимальная рабочая температура - 40 C
Максимальная рабочая температура + 85 C
Pd - рассеивание мощности Неизвестно
Вид монтажа Screw Mount
Упаковка / блок Неизвестно
Упаковка Tray
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
