MRFG35003N6AT1

Тип транзистора pHEMT

Технология GaAs

Усиление 10 dB

Полярность транзистора Неизвестно

Vds - напряжение пробоя сток-исток 8 V

Vds - напряжение пробоя затвор-исток - 5 V

Id - непрерывный ток утечки 2.9 A

Выходная мощность Неизвестно

Максимальное напряжение сток-затвор Неизвестно

Минимальная рабочая температура Неизвестно

Максимальная рабочая температура + 85 C

Pd - рассеивание мощности Неизвестно

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок PLD-1.5

Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel