Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы РЧ / РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом / CGHV60075D5
Есть ROHS
Описание:
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 75 Watt
Характеристики
Тип транзистора HEMT
Технология GaN
Усиление 17 dB
Полярность транзистора N-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток 150 V
Vds - напряжение пробоя затвор-исток 150 V
Id - непрерывный ток утечки 10 A
Выходная мощность 75 W
Максимальное напряжение сток-затвор -
Минимальная рабочая температура -
Максимальная рабочая температура -
Pd - рассеивание мощности 41.6 W
Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок Die
Упаковка Gel Pack
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
