CGHV35060MP

Тип транзистора HEMT

Технология GaN

Усиление 14.5 dB

Полярность транзистора N-Channel

Vds - напряжение пробоя сток-исток 150 V

Vds - напряжение пробоя затвор-исток - 10 V, 2 V

Id - непрерывный ток утечки 10.4 A

Выходная мощность 75 W

Максимальное напряжение сток-затвор 50 V

Минимальная рабочая температура - 40 C

Максимальная рабочая температура + 107 C

Pd - рассеивание мощности 52 W

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок Неизвестно

Упаковка Reel