|
RN4985,LF(CT |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 200mW TRANSISTOR |
Добавить в запрос
|
|
|
RN4985,LF(CT |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 200mW TRANSISTOR |
Добавить в запрос
|
|
RN4985FE,LF(CT |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - BJT NPN + PNP BRT, Q1BSR=2.2kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=2.2kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A |
Добавить в запрос
|
)
)
|
RN4986(T5L,F,T) |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50volts 6Pin 4.7K x 47Kohms |
Добавить в запрос
|
|
|
RN4986(T5L,F,T) |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50volts 6Pin 4.7K x 47Kohms |
Добавить в запрос
|
|
RN4986FE,LF(CT |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in transistor |
Добавить в запрос
|
|
|
RN4986FE,LF(CT |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in transistor |
Добавить в запрос
|
|
RN4987,LF(CT |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in transistor |
Добавить в запрос
|
|
|
RN4987,LF(CT |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in transistor |
Добавить в запрос
|
|
RN4987FE,LF(CT |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in transistor |
Добавить в запрос
|
|
|
RN4987FE,LF(CT |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in transistor |
Добавить в запрос
|
)
)
|
RN4988(T5L,F,T) |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50volts 6Pin 22K x 47Kohms |
Добавить в запрос
|
|
|
RN4988(T5L,F,T) |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50volts 6Pin 22K x 47Kohms |
Добавить в запрос
|
|
RN4988FE,LF(CT |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - BJT NPN + PNP BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=22kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A |
Добавить в запрос
|
)
)
|
RN4989(T5L,F,T) |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50volts 6Pin 47K x 22Kohms |
Добавить в запрос
|
|
|
RN4989(T5L,F,T) |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50volts 6Pin 47K x 22Kohms |
Добавить в запрос
|
|
RN4989FE,LF(CT |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - BJT NPN + PNP BRT, Q1BSR=47kOhm, Q1BER=22kOhm, Q2BSR=47kOhm, Q2BER=22kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A |
Добавить в запрос
|
)
)
|
RN4990(T5L,F,T) |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50volts 6Pin 4.7Kohms |
Добавить в запрос
|
|
|
RN4990(T5L,F,T) |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50volts 6Pin 4.7Kohms |
Добавить в запрос
|
|
RN4990FE,LF(CT |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in transistor |
Добавить в запрос
|
