|
RN2130MFV,L3F |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in Transistor |
Добавить в запрос
|
)
)
|
RN2131MFV(TL3,T) |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor PNP 100kohm -100mA -50V |
Добавить в запрос
|
|
|
RN2131MFV(TL3,T) |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor PNP 100kohm -100mA -50V |
Добавить в запрос
|
)
)
|
RN2131MFV(TPL3) |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения -50volts 100mA 3Pin 100Kohmsx0ohms |
Добавить в запрос
|
|
|
RN2131MFV(TPL3) |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения -50volts 100mA 3Pin 100Kohmsx0ohms |
Добавить в запрос
|
)
)
|
RN2132MFV(TL3,T) |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor PNP 200kohm -100mA -50V |
Добавить в запрос
|
|
|
RN2132MFV(TL3,T) |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor PNP 200kohm -100mA -50V |
Добавить в запрос
|
)
)
|
RN2132MFV(TPL3) |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения -50volts 100mA 3Pin 200Kohmsx0ohms |
Добавить в запрос
|
|
|
RN2132MFV(TPL3) |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения -50volts 100mA 3Pin 200Kohmsx0ohms |
Добавить в запрос
|
)
)
|
RN2301(TE85L,F) |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA -50volts 3Pin 4.7K x 4.7Kohms |
Добавить в запрос
|
|
|
RN2301(TE85L,F) |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA -50volts 3Pin 4.7K x 4.7Kohms |
Добавить в запрос
|
|
RN2301,LF |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor with Built-in Transistor |
Добавить в запрос
|
|
|
RN2301,LF |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor with Built-in Transistor |
Добавить в запрос
|
)
)
|
RN2302(TE85L,F) |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA -50volts 3Pin 10K x 10Kohms |
Добавить в запрос
|
|
|
RN2302(TE85L,F) |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA -50volts 3Pin 10K x 10Kohms |
Добавить в запрос
|
|
RN2302,LF |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor PNP 10kohm -100mA -50V |
Добавить в запрос
|
|
|
RN2302,LF |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor PNP 10kohm -100mA -50V |
Добавить в запрос
|
)
)
|
RN2303(TE85L,F) |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA -50volts 3Pin 22K x 22Kohms |
Добавить в запрос
|
|
|
RN2303(TE85L,F) |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA -50volts 3Pin 22K x 22Kohms |
Добавить в запрос
|
|
RN2303,LF |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - BJT TRANSISTOR PNP BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=22kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-323 (USM) package |
Добавить в запрос
|
Продолжая использовать сайт, вы соглашаетесь на обработку файлов cookie и Политикой обработки персональных данных.
