|
RN1132MFV,L3F |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor NPN .1A 50V 200kohm |
Добавить в запрос
|
|
|
RN1132MFV,L3F |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor NPN .1A 50V 200kohm |
Добавить в запрос
|
)
)
|
RN1301(TE85L,F) |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50volts 3Pin 4.7K x 4.7Kohms |
Добавить в запрос
|
|
|
RN1301(TE85L,F) |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50volts 3Pin 4.7K x 4.7Kohms |
Добавить в запрос
|
|
RN1301,LF |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения USM TRANSISTOR Pd 100mW F 250Mhz |
Добавить в запрос
|
|
|
RN1301,LF |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения USM TRANSISTOR Pd 100mW F 250Mhz |
Добавить в запрос
|
|
RN1302,LF |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения USM PLN TRANSISTOR Pd=100mW F=1MHz |
Добавить в запрос
|
|
|
RN1302,LF |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения USM PLN TRANSISTOR Pd=100mW F=1MHz |
Добавить в запрос
|
|
RN1302SU,LF |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 50V VCBO 50V VCEO 100mA IC 100mW |
Добавить в запрос
|
|
|
RN1302SU,LF |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 50V VCBO 50V VCEO 100mA IC 100mW |
Добавить в запрос
|
|
RN1302TE85LF |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50volts 3Pin 10K x 10Kohms |
Добавить в запрос
|
|
|
RN1302TE85LF |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50volts 3Pin 10K x 10Kohms |
Добавить в запрос
|
)
)
|
RN1303(TE85L,F) |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50volts 3Pin 22K x 22Kohms |
Добавить в запрос
|
|
|
RN1303(TE85L,F) |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50volts 3Pin 22K x 22Kohms |
Добавить в запрос
|
|
RN1303,LF |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - BJT TRANSISTOR NPN BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=22kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A, inSOT-323 (USM) package |
Добавить в запрос
|
|
RN1304,LF |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor NPN 100mA 50V 47kohm |
Добавить в запрос
|
|
|
RN1304,LF |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor NPN 100mA 50V 47kohm |
Добавить в запрос
|
|
RN1304TE85LF |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения X34 Pb-F USM PLN (LF) TRANSISTOR Pd=100mW F=250MHz |
Добавить в запрос
|
|
|
RN1304TE85LF |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения X34 Pb-F USM PLN (LF) TRANSISTOR Pd=100mW F=250MHz |
Добавить в запрос
|
)
)
|
RN1305(TE85L,F) |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50volts 3Pin 2.2K x 47Kohms |
Добавить в запрос
|
Продолжая использовать сайт, вы соглашаетесь на обработку файлов cookie и Политикой обработки персональных данных.
