)
)
|
RN1112MFV(TPL3) |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50volts 3Pin 22Kohms |
Добавить в запрос
|
)
)
|
RN1113MFV(TPL3) |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50volts 3Pin 47Kohms |
Добавить в запрос
|
|
RN1113MFV,L37F |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in Transistor |
Добавить в запрос
|
|
|
RN1113MFV,L37F |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in Transistor |
Добавить в запрос
|
|
RN1113MFV,L3F |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor NPN .1A 50V 47kohm |
Добавить в запрос
|
|
|
RN1113MFV,L3F |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor NPN .1A 50V 47kohm |
Добавить в запрос
|
)
)
|
RN1114MFV(TPL3) |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 50volts 100mA 3Pin 1.0Kohms x 10Kohms |
Добавить в запрос
|
|
|
RN1114MFV(TPL3) |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 50volts 100mA 3Pin 1.0Kohms x 10Kohms |
Добавить в запрос
|
|
RN1114MFV,L3F |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in Transistor |
Добавить в запрос
|
|
|
RN1114MFV,L3F |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in Transistor |
Добавить в запрос
|
|
RN1115,LF(CT |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor with Built-in Transistor |
Добавить в запрос
|
|
|
RN1115,LF(CT |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor with Built-in Transistor |
Добавить в запрос
|
)
)
|
RN1115MFV(TL3,T) |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor NPN 100mA 50V 2.2kohm |
Добавить в запрос
|
|
|
RN1115MFV(TL3,T) |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor NPN 100mA 50V 2.2kohm |
Добавить в запрос
|
)
)
|
RN1115MFV(TPL3) |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 2.2Kohms x 10Kohms |
Добавить в запрос
|
|
|
RN1115MFV(TPL3) |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 2.2Kohms x 10Kohms |
Добавить в запрос
|
|
RN1115MFV,L3F |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения BIAS RESISTOR BUILT IN TRANSISTOR |
Добавить в запрос
|
|
|
RN1115MFV,L3F |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения BIAS RESISTOR BUILT IN TRANSISTOR |
Добавить в запрос
|
|
RN1116,LF(CT |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - BJT TRANSISTOR NPN BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=10kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A, inSOT-416 (SSM) package |
Добавить в запрос
|
)
)
|
RN1116MFV(TL3,T) |
|
Toshiba |
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor NPN 100mA 50V 4.7kohm |
Добавить в запрос
|
Продолжая использовать сайт, вы соглашаетесь на обработку файлов cookie и Политикой обработки персональных данных.
