|
STGWA25S120DF3 |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, S series 1200 V, 25 A low drop |
Добавить в запрос
|
|
|
STGWA25S120DF3 |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, S series 1200 V, 25 A low drop |
Добавить в запрос
|
|
STGWA30H60DFB |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed |
Добавить в запрос
|
|
|
STGWA30H60DFB |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed |
Добавить в запрос
|
|
STGWA30H65DFB |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 30 A high speed in a TO-247 long leads package |
Добавить в запрос
|
|
|
STGWA30H65DFB |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 30 A high speed in a TO-247 long leads package |
Добавить в запрос
|
|
STGWA30H65FB |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 30 A high speed |
Добавить в запрос
|
|
|
STGWA30H65FB |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 30 A high speed |
Добавить в запрос
|
|
STGWA30M65DF2 |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss |
Добавить в запрос
|
|
|
STGWA30M65DF2 |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss |
Добавить в запрос
|
|
STGWA30N120KD |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 30A 1200V short circuit rugged IGBT |
Добавить в запрос
|
|
|
STGWA30N120KD |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 30A 1200V short circuit rugged IGBT |
Добавить в запрос
|
|
STGWA40H120DF2 |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed |
Добавить в запрос
|
|
|
STGWA40H120DF2 |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed |
Добавить в запрос
|
|
STGWA40H120F2 |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed |
Добавить в запрос
|
|
|
STGWA40H120F2 |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed |
Добавить в запрос
|
|
STGWA40H60DLFB |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) |
Добавить в запрос
|
|
|
STGWA40H60DLFB |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) |
Добавить в запрос
|
|
STGWA40H65DFB |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 40 A high speed |
Добавить в запрос
|
|
|
STGWA40H65DFB |
|
STMicroelectronics |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 40 A high speed |
Добавить в запрос
|
