|
A22H165J |
|
STMicroelectronics |
Усилители звука High-performance class-G stereo headphone amplifier |
Добавить в запрос
|
|
A22H165MJ |
|
STMicroelectronics |
Усилители звука High-performance class-G stereo headphone amplifier with I2C volume control |
Добавить в запрос
|
|
|
A22H165MJ |
|
STMicroelectronics |
Усилители звука High-performance class-G stereo headphone amplifier with I2C volume control |
Добавить в запрос
|
|
A2C25S12M3 |
|
STMicroelectronics |
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE |
Добавить в запрос
|
|
|
A2C25S12M3 |
|
STMicroelectronics |
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE |
Добавить в запрос
|
|
A2C25S12M3-F |
|
STMicroelectronics |
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE |
Добавить в запрос
|
|
|
A2C25S12M3-F |
|
STMicroelectronics |
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE |
Добавить в запрос
|
|
A2C35S12M3 |
|
STMicroelectronics |
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) ACEPACK 2 converter inverter brake, 1200 V, 35 A trench gate field-stop IGBT M series, soft diode and NTC |
Добавить в запрос
|
|
|
A2C35S12M3 |
|
STMicroelectronics |
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) ACEPACK 2 converter inverter brake, 1200 V, 35 A trench gate field-stop IGBT M series, soft diode and NTC |
Добавить в запрос
|
|
A2C35S12M3-F |
|
STMicroelectronics |
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) ACEPACK 2 converter inverter brake, 1200 V, 35 A trench gate field-stop IGBT M series, soft diode and NTC |
Добавить в запрос
|
|
|
A2C35S12M3-F |
|
STMicroelectronics |
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) ACEPACK 2 converter inverter brake, 1200 V, 35 A trench gate field-stop IGBT M series, soft diode and NTC |
Добавить в запрос
|
|
A2C50S65M2 |
|
STMicroelectronics |
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) ACEPACK 2 converter inverter brake, 650 V, 50 A trench gate field-stop IGBT M series, soft diode and NTC |
Добавить в запрос
|
|
|
A2C50S65M2 |
|
STMicroelectronics |
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) ACEPACK 2 converter inverter brake, 650 V, 50 A trench gate field-stop IGBT M series, soft diode and NTC |
Добавить в запрос
|
|
A2C50S65M2-F |
|
STMicroelectronics |
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) ACEPACK 2 converter inverter brake, 650 V, 50 A trench gate field-stop IGBT M series, soft diode and NTC |
Добавить в запрос
|
|
|
A2C50S65M2-F |
|
STMicroelectronics |
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) ACEPACK 2 converter inverter brake, 650 V, 50 A trench gate field-stop IGBT M series, soft diode and NTC |
Добавить в запрос
|
|
A2P75S12M3 |
|
STMicroelectronics |
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE |
Добавить в запрос
|
|
|
A2P75S12M3 |
|
STMicroelectronics |
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE |
Добавить в запрос
|
|
A2P75S12M3-F |
|
STMicroelectronics |
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE |
Добавить в запрос
|
|
|
A2P75S12M3-F |
|
STMicroelectronics |
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE |
Добавить в запрос
|
|
A3G4250D |
|
STMicroelectronics |
Гироскопы MEMS motion sensor 3-Axis Gyroscope |
Добавить в запрос
|
