|
FS100R17KE3 |
|
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 145A | Добавить в запрос |
|
|
FS100R17KE3 |
|
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 145A | Добавить в запрос |
|
FS100R17N3E4 |
|
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Добавить в запрос |
|
|
FS100R17N3E4 |
|
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Добавить в запрос |
|
FS100R17N3E4PB11BPSA1 |
|
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER ECONO | Добавить в запрос |
|
|
FS100R17N3E4PB11BPSA1 |
|
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER ECONO | Добавить в запрос |
|
FS100R17N3E4_B11 |
|
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Добавить в запрос |
|
|
FS100R17N3E4_B11 |
|
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Добавить в запрос |
|
FS100R17PE4 |
|
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 100A | Добавить в запрос |
|
|
FS100R17PE4 |
|
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 100A | Добавить в запрос |
|
FS10R06VE3 |
|
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 16A | Добавить в запрос |
|
|
FS10R06VE3 |
|
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 16A | Добавить в запрос |
|
FS10R06VE3_B2 |
|
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) EASYPACK 750 15.0A 1.55V | Добавить в запрос |
|
|
FS10R06VE3_B2 |
|
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) EASYPACK 750 15.0A 1.55V | Добавить в запрос |
|
FS10R06VL4_B2 |
|
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 16A | Добавить в запрос |
|
|
FS10R06VL4_B2 |
|
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 16A | Добавить в запрос |
|
FS10R12VT3 |
|
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 16A | Добавить в запрос |
|
|
FS10R12VT3 |
|
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 16A | Добавить в запрос |
|
FS10R12YE3 |
|
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 16A | Добавить в запрос |
|
|
FS10R12YE3 |
|
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 16A | Добавить в запрос |