|
FF200R06KE3 |
![]() |
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 260A | Добавить в запрос |
|
FF200R06KE3 |
![]() |
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 260A | Добавить в запрос |
|
FF200R12KE3 |
![]() |
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 200A DUAL | Добавить в запрос |
|
FF200R12KE3 |
![]() |
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 200A DUAL | Добавить в запрос |
|
FF200R12KE3_B2 |
![]() |
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 295A | Добавить в запрос |
|
FF200R12KE3_B2 |
![]() |
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 295A | Добавить в запрос |
|
FF200R12KE4 |
![]() |
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT-MODULE | Добавить в запрос |
|
FF200R12KE4 |
![]() |
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT-MODULE | Добавить в запрос |
|
FF200R12KE4PHOSA1 |
![]() |
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) MEDIUM POWER 62MM | Добавить в запрос |
|
FF200R12KE4PHOSA1 |
![]() |
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) MEDIUM POWER 62MM | Добавить в запрос |
|
FF200R12KS4 |
![]() |
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 200A DUAL | Добавить в запрос |
|
FF200R12KS4 |
![]() |
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 200A DUAL | Добавить в запрос |
|
FF200R12KS4PHOSA1 |
![]() |
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) MEDIUM POWER 62MM | Добавить в запрос |
|
FF200R12KS4PHOSA1 |
![]() |
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) MEDIUM POWER 62MM | Добавить в запрос |
|
FF200R12KT3 |
![]() |
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 295A | Добавить в запрос |
|
FF200R12KT3 |
![]() |
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 295A | Добавить в запрос |
|
FF200R12KT3_E |
![]() |
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 200A | Добавить в запрос |
|
FF200R12KT3_E |
![]() |
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 200A | Добавить в запрос |
|
FF200R12KT4 |
![]() |
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 320A | Добавить в запрос |
|
FF200R12KT4 |
![]() |
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 320A | Добавить в запрос |