|
DF1000R17IE4D_B2 |
|
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Добавить в запрос |
|
DF100R07W1H5FPB53BPSA2 |
|
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER EASY | Добавить в запрос |
|
|
DF100R07W1H5FPB53BPSA2 |
|
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER EASY | Добавить в запрос |
|
DF100R07W1H5FPB54BPSA2 |
|
Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Easy 650V booster power module with IGBT TRENCHSTOP 5, CoolSiC Schottky diode Solder Contact Technology and pre-applied Thermal Interface Material. | Добавить в запрос |
|
|
DF100R07W1H5FPB54BPSA2 |
|
Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Easy 650V booster power module with IGBT TRENCHSTOP 5, CoolSiC Schottky diode Solder Contact Technology and pre-applied Thermal Interface Material. | Добавить в запрос |
|
DF120R12W2H3_B27 |
|
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Добавить в запрос |
|
|
DF120R12W2H3_B27 |
|
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Добавить в запрос |
|
DF1400R12IP4D |
|
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT MODULES 1200V 1400A | Добавить в запрос |
|
|
DF1400R12IP4D |
|
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT MODULES 1200V 1400A | Добавить в запрос |
|
DF150R12RT4 |
|
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT MODULES 1200V 150A | Добавить в запрос |
|
|
DF150R12RT4 |
|
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT MODULES 1200V 150A | Добавить в запрос |
|
DF160R12W2H3F_B11 |
|
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Добавить в запрос |
|
|
DF160R12W2H3F_B11 |
|
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Добавить в запрос |
|
DF200R12KE3 |
|
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 200A DUAL | Добавить в запрос |
|
|
DF200R12KE3 |
|
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 200A DUAL | Добавить в запрос |
|
DF200R12PT4_B6 |
|
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Добавить в запрос |
|
|
DF200R12PT4_B6 |
|
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Добавить в запрос |
|
DF200R12W1H3FB11BOMA1 |
|
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER EASY | Добавить в запрос |
|
|
DF200R12W1H3FB11BOMA1 |
|
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER EASY | Добавить в запрос |
|
DF200R12W1H3_B27 |
|
Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Добавить в запрос |