РЧ МОП-транзисторы [4]

Фильтрация

Если применить фильтр: 0

Производитель

Полярность транзистора

Технология

Id - непрерывный ток утечки

Vds - напряжение пробоя сток-исток

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

Усиление

Выходная мощность

Минимальная рабочая температура

Максимальная рабочая температура

Вид монтажа

Упаковка / блок

Упаковка

Сбросить фильтрацию

A3G20S250-01SR3	NXP Semiconductors	РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power GaN Transistor, 1800-2200 MHz, 45 W Avg., 48 V	Добавить в запрос
A3G22H400-04SR3	NXP Semiconductors	РЧ МОП-транзисторы RF Power GaN Trnsitr 1805-2200 MHz 79W48V	Добавить в запрос
A3G35H100-04SR3	NXP Semiconductors	РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power GaN Transistor, 3400-3600 MHz, 14 W Avg., 48 V	Добавить в запрос
A3T18H360W23SR6	NXP Semiconductors	РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1805-1880 MHz, 63 W Avg., 28 V	Добавить в запрос
A3T18H400W23SR6	NXP Semiconductors	РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1805-1880 MHz, 71 W Avg., 28 V	Добавить в запрос
A3T18H455W23SR6	NXP Semiconductors	РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1805-1880 MHz, 87 W Avg., 30 V	Добавить в запрос
A3T19H455W23SR6	NXP Semiconductors	РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1930-1990 MHz, 81 W Avg., 30 V	Добавить в запрос
A3T21H360W23SR6	NXP Semiconductors	РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2110-2200 MHz, 56 W Avg., 28 V	Добавить в запрос
A3T21H400W23SR6	NXP Semiconductors	РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2110-2200 MHz, 71 W Avg., 28 V	Добавить в запрос
A3T21H450W23SR6	NXP Semiconductors	РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2110-2200 MHz, 87 W Avg., 30 V	Добавить в запрос
A3T21H455W23SR6	NXP Semiconductors	РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2110-2200 MHz, 87 W Avg., 30 V	Добавить в запрос
A3T21H456W23SR6	NXP Semiconductors	РЧ МОП-транзисторы RF PWR LDMOS TRNSTR 2110-2200 MHz 87W30V	Добавить в запрос
A3T23H300W23SR6	NXP Semiconductors	РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2300-2400 MHz, 63 W Avg., 30 V	Добавить в запрос
A3T23H450W23SR6	NXP Semiconductors	РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2300-2400 MHz, 87 W Avg., 30 V	Добавить в запрос
AFG24S100HR5	NXP / Freescale	РЧ МОП-транзисторы Wideband RF Power GaN on SiC Transistor, 1-2700 MHz, 125 W CW, 50 V	Добавить в запрос
AFIC10275GNR1	NXP / Freescale	РЧ МОП-транзисторы 978-1090 MHz, 250 W Peak, 50 V	Добавить в запрос
AFIC10275NR1	NXP / Freescale	РЧ МОП-транзисторы 978-1090 MHz, 250 W Peak, 50 V	Добавить в запрос
AFIC10275NR5	NXP / Freescale	РЧ МОП-транзисторы Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 978-1090 MHz, 250 W Peak, 50 V	Добавить в запрос
AFIC31025GNR1	NXP Semiconductors	РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power Integrated Power Amplifier, 25 W Pulse over 2400-3100 MHz, 32 V	Добавить в запрос
AFIC31025NR1	NXP Semiconductors	РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power Integrated Power Amplifier, 25 W Pulse over 2400-3100 MHz, 32 V	Добавить в запрос
AFM906NT1	NXP / Freescale	РЧ МОП-транзисторы Wideband Airfast RF Power LDMOS Transistor 136-941 MHz, 6.0 W, 7.5 V	Добавить в запрос
AFM907NT1	NXP Semiconductors	РЧ МОП-транзисторы RF Power	Добавить в запрос
AFT05MP075GNR1	NXP / Freescale	РЧ МОП-транзисторы MV9 75W 12.5V TO270WB4G	Добавить в запрос
AFT05MP075NR1	NXP / Freescale	РЧ МОП-транзисторы MV9 75W 12.5V TO270WB4	Добавить в запрос