Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) [46]

Фильтрация

Если применить фильтр: 0

Производитель

Технология

Упаковка / блок

Вид монтажа

Конфигурация

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

Непрерывный коллекторный ток при 25 C

Pd - рассеивание мощности

Минимальная рабочая температура

Максимальная рабочая температура

Серия

Квалификация

Упаковка

Сбросить фильтрацию

IXGP48N60C3	IXYS	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 75Amps 600V	Добавить в запрос
IXGQ180N33TCD1	IXYS	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) G-series A,B,C	Добавить в запрос
IXGQ200N30PB	IXYS	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) G-series A,B,C	Добавить в запрос
IXGQ240N30PB	IXYS	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) POLAR IGBTS PDP APP 300V 500A	Добавить в запрос
IXGQ28N120B	IXYS	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 28 Amps 1200 V 3.5 Rds	Добавить в запрос
IXGQ96N30TBD1	IXYS	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) TRENCH IGBT W/FRED 320V 250A	Добавить в запрос
IXGR24N120C3D1	IXYS	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 48 Amps 1200V 2.75 Rds	Добавить в запрос
IXGR24N120C3H1	IXYS	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 48 Amps 1200V	Добавить в запрос
IXGR35N120BD1	IXYS	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 23 Amps 1200V 3.7 Rds	Добавить в запрос
IXGR48N60B3D1	IXYS	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 48 Amps 600V 1.7 Rds	Добавить в запрос
IXGR48N60B3D4A	IXYS	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 48 Amps 600V 2 Rds	Добавить в запрос
IXGR48N60C3D1	IXYS	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 48 Amps 600V	Добавить в запрос
IXGR60N60C2G1	IXYS	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 75A	Добавить в запрос
IXGR60N60C3D1	IXYS	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 60 Amps 600V	Добавить в запрос
IXGR72N60C3	IXYS	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISC IGBT PT-HIFREQUENCY	Добавить в запрос
IXGR72N60C3D1	IXYS	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 600V 75A	Добавить в запрос
IXGT10N170	IXYS	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 20 Amps 1700 V 4 V Rds	Добавить в запрос
IXGT10N170A	IXYS	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 20 Amps 1700 V 7 V Rds	Добавить в запрос
IXGT15N120B	IXYS	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 30 Amps 1200V 3.2 Rds	Добавить в запрос
IXGT15N120BD1	IXYS	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 30 Amps 1200V 3.2 Rds	Добавить в запрос
IXGT15N120CD1	IXYS	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 30 Amps 1200V 3.8 Rds	Добавить в запрос
IXGT16N170	IXYS	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 32 Amps 1700 V 3.5 V Rds	Добавить в запрос
IXGT16N170A	IXYS	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 32 Amps 1700 V 5 V Rds	Добавить в запрос
IXGT20N 60B	IXYS	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 40 Amps 600 V 2.0 V Rds	Добавить в запрос