Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) [41]

Фильтрация

Если применить фильтр: 0

Производитель

Технология

Упаковка / блок

Вид монтажа

Конфигурация

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

Непрерывный коллекторный ток при 25 C

Pd - рассеивание мощности

Минимальная рабочая температура

Максимальная рабочая температура

Серия

Квалификация

Упаковка

Сбросить фильтрацию

IXGF25N300	IXYS	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
IXGF32N170	IXYS	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 26 Amps 1700V 3.5 V Rds	Добавить в запрос
IXGF36N300	IXYS	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
IXGH100N30C3	IXYS	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 100 Amps 300V	Добавить в запрос
IXGH10N100	IXYS	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1000V 20A	Добавить в запрос
IXGH10N170	IXYS	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 20 Amps 1700 V 4 V Rds	Добавить в запрос
IXGH10N170A	IXYS	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 20 Amps 1700 V 7 V Rds	Добавить в запрос
IXGH120N30B3	IXYS	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 120 Amps 300V	Добавить в запрос
IXGH120N30C3	IXYS	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 120 Amps 300V	Добавить в запрос
IXGH12N100	IXYS	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 24Amps 1000V	Добавить в запрос
IXGH12N90C	IXYS	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 24 Amps 900V 3 Rds	Добавить в запрос
IXGH15N120B	IXYS	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 30 Amps 1200V 3.2 Rds	Добавить в запрос
IXGH15N120B2D1	IXYS	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 30 Amps 1200V 2.7 V Rds	Добавить в запрос
IXGH15N120BD1	IXYS	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 30 Amps 1200V 3.2 Rds	Добавить в запрос
IXGH15N120CD1	IXYS	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 30 Amps 1200V 3.8 Rds	Добавить в запрос
IXGH16N170	IXYS	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 32 Amps 1700 V 3.5 V Rds	Добавить в запрос
IXGH16N170A	IXYS	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 32 Amps 1700 V 5 V Rds	Добавить в запрос
IXGH16N60B2	IXYS	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 16A	Добавить в запрос
IXGH17N100U1	IXYS	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 17 Amps 1000V	Добавить в запрос
IXGH20N120	IXYS	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 40 Amps 1200V 3 V Rds	Добавить в запрос
IXGH20N120A3	IXYS	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 1200V 20A	Добавить в запрос
IXGH20N160	IXYS	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 40A	Добавить в запрос
IXGH240N30PB	IXYS	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 240 Amps 300V	Добавить в запрос
IXGH24N120C3	IXYS	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 48 Amps 1200V	Добавить в запрос