Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) [2]

Фильтрация

Если применить фильтр: 0

Производитель

Технология

Упаковка / блок

Вид монтажа

Конфигурация

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

Непрерывный коллекторный ток при 25 C

Pd - рассеивание мощности

Минимальная рабочая температура

Максимальная рабочая температура

Серия

Квалификация

Упаковка

Сбросить фильтрацию

AIHD15N60RFATMA1	Infineon Technologies	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISCRETES	Добавить в запрос
AIKB15N65DF5ATMA1	Infineon Technologies	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
AIKB15N65DH5ATMA1	Infineon Technologies	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
AIKB20N60CTATMA1	Infineon Technologies	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISCRETES	Добавить в запрос
AIKB30N65DF5ATMA1	Infineon Technologies	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
AIKB30N65DH5ATMA1	Infineon Technologies	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
AIKB40N65DF5ATMA1	Infineon Technologies	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
AIKB40N65DH5ATMA1	Infineon Technologies	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
AIKB50N65DF5ATMA1	Infineon Technologies	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
AIKB50N65DH5ATMA1	Infineon Technologies	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
AIKP20N60CTAKSA1	Infineon Technologies	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISCRETES	Добавить в запрос
AIKQ100N60CTXKSA1	Infineon Technologies	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISCRETES	Добавить в запрос
AIKQ120N60CTXKSA1	Infineon Technologies	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISCRETES	Добавить в запрос
AIKW20N60CTXKSA1	Infineon Technologies	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISCRETES	Добавить в запрос
AIKW30N60CTXKSA1	Infineon Technologies	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISCRETES	Добавить в запрос
AIKW40N65DF5XKSA1	Infineon Technologies	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISCRETES	Добавить в запрос
AIKW40N65DH5XKSA1	Infineon Technologies	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISCRETES	Добавить в запрос
AIKW50N60CTXKSA1	Infineon Technologies	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISCRETES	Добавить в запрос
AIKW50N65DF5XKSA1	Infineon Technologies	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISCRETES	Добавить в запрос
AIKW50N65DH5XKSA1	Infineon Technologies	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISCRETES	Добавить в запрос
AIKW75N60CTXKSA1	Infineon Technologies	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISCRETES	Добавить в запрос
APT100GN120B2G	Microchip / Microsemi	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, TO-247 T-MAX, RoHS	Добавить в запрос
APT100GN60B2G	Microchip / Microsemi	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, TO-247 T-MAX, RoHS	Добавить в запрос
APT100GN60LDQ4G	Microchip / Microsemi	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, TO-264, RoHS	Добавить в запрос