Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) [17]

Фильтрация

Если применить фильтр: 0

Производитель

Технология

Упаковка / блок

Вид монтажа

Конфигурация

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

Непрерывный коллекторный ток при 25 C

Pd - рассеивание мощности

Минимальная рабочая температура

Максимальная рабочая температура

Серия

Квалификация

Упаковка

Сбросить фильтрацию

HGTG40N60B3	ON Semiconductor / Fairchild	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V N-Channel IGBT UFS Series	Добавить в запрос
HGTG5N120BND	ON Semiconductor / Fairchild	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 21a 1200V IGBT NPT Series N-Ch	Добавить в запрос
HGTP12N60C3D	ON Semiconductor / Fairchild	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) HGTP12N60C3D	Добавить в запрос
IDW40E65D2	Infineon Technologies	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS Rapid Switching	Добавить в запрос
IEWS20R5135IPBXKMA1	Infineon Technologies	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)	Добавить в запрос
IGA03N120H2	Infineon Technologies	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) HIGH SPEED TECH 1200V 3A	Добавить в запрос
IGB01N120H2	Infineon Technologies	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) HIGH SPEED 2 TECH 1200V 1A	Добавить в запрос
IGB03N120H2	Infineon Technologies	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) HIGH SPEED 2 TECH 1200V 3A	Добавить в запрос
IGB10N60T	Infineon Technologies	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Low Loss IGBT Trench Stop&Fieldstop Tech	Добавить в запрос
IGB10N60TATMA1	Infineon Technologies	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Low Loss IGBT Trench Stop&Fieldstop Tech	Добавить в запрос
IGB15N60T	Infineon Technologies	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS IGBT TECH 600V 15A	Добавить в запрос
IGB15N60TATMA1	Infineon Technologies	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS IGBT TECH 600V 15A	Добавить в запрос
IGB15N65S5ATMA1	Infineon Technologies	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS	Добавить в запрос
IGB20N60H3	Infineon Technologies	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600v Hi-Speed SW IGBT	Добавить в запрос
IGB20N65S5ATMA1	Infineon Technologies	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS	Добавить в запрос
IGB30N60H3	Infineon Technologies	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600v Hi-Speed SW IGBT	Добавить в запрос
IGB30N60T	Infineon Technologies	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS IGBT TECH 600V 30A	Добавить в запрос
IGB50N60T	Infineon Technologies	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A	Добавить в запрос
IGB50N60TATMA1	Infineon Technologies	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A	Добавить в запрос
IGB50N65H5ATMA1	Infineon Technologies	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS	Добавить в запрос
IGB50N65S5ATMA1	Infineon Technologies	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS	Добавить в запрос
IGD01N120H2	Infineon Technologies	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) HIGH SPEED 2 TECH 1200A 1A	Добавить в запрос
IGD06N60TATMA1	Infineon Technologies	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Infineon's TRENCHSTOP IGBT technology leads to significant improvement of static as well as dynamic performance of the device due to combination of trench top-cell and filed stop concept. Combinati	Добавить в запрос
IGP06N60T	Infineon Technologies	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS DuoPack 600V 6A	Добавить в запрос