Создать запрос 0

8 812 309 58 32

Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / ИС памяти / DRAM

DRAM

Фильтрация

Если применить фильтр: 0

Производитель

Тип

Ширина шины данных

Организация

Упаковка / блок

Размер памяти

Максимальная тактовая частота

Время доступа

Напряжение питания - макс.

Напряжение питания - мин.

Напряжение питания - макс.

Минимальная рабочая температура

Максимальная рабочая температура

Серия

Квалификация

Упаковка

Сбросить фильтрацию

	W987D6HBGX6I		Winbond	DRAM 128M mSDR, x16, 166MHz, Ind Temp	Добавить в запрос
	W987D6HBGX6I TR		Winbond	DRAM 128M mSDR, x16, 166MHz, Ind Temp T&R	Добавить в запрос
	W987D6HBGX7E		Winbond	DRAM 128M mSDR, x16, 133MHz, 65nm	Добавить в запрос
	W987D6HBGX7E TR		Winbond	DRAM 128M mSDR, x16, 133MHz, 65nm T&R	Добавить в запрос
	W988D2FBJX6E		Winbond	DRAM 256M mSDR, x32, 166MHz	Добавить в запрос
	W988D2FBJX6I		Winbond	DRAM 256M mSDR, x32, 166MHz, Ind Temp	Добавить в запрос
	W988D2FBJX6I TR		Winbond	DRAM 256M mSDR, x32, 166MHz, Ind Temp T&R	Добавить в запрос
	W988D2FBJX7E		Winbond	DRAM 256M mSDR, x32, 133MHz, 65nm	Добавить в запрос
	W988D6FBGX6E		Winbond	DRAM 256M mSDR, x16, 166MHz	Добавить в запрос
	W988D6FBGX6E TR		Winbond	DRAM 256M mSDR, x16, 166MHz T&R	Добавить в запрос
	W988D6FBGX6I		Winbond	DRAM 256M mSDR, x16, 166MHz, Ind Temp	Добавить в запрос
	W988D6FBGX6I TR		Winbond	DRAM 256M mSDR, x16, 166MHz, Ind Temp T&R	Добавить в запрос
	W988D6FBGX7E		Winbond	DRAM 256M mSDR, x16, 133MHz, 65nm	Добавить в запрос
	W988D6FBGX7E TR		Winbond	DRAM 256M mSDR, x16, 133MHz, 65nm T&R	Добавить в запрос
	W989D2DBJX6I		Winbond	DRAM 512M mSDR, x32, 166MHz, Ind Temp, 46nm	Добавить в запрос
	W989D2DBJX6I TR		Winbond	DRAM 512M mSDR, x32, 166MHz, Ind Temp, 46nm T&R	Добавить в запрос
	W989D6DBGX6I		Winbond	DRAM 512M mSDR, x16, 166MHz, Ind Temp, 46nm	Добавить в запрос
	W989D6DBGX6I TR		Winbond	DRAM 512M mSDR, x16, 166MHz, Ind Temp, 46nm	Добавить в запрос