Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

Фильтрация

Если применить фильтр: 0

Производитель

Технология

Упаковка / блок

Вид монтажа

Конфигурация

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

Непрерывный коллекторный ток при 25 C

Pd - рассеивание мощности

Минимальная рабочая температура

Максимальная рабочая температура

Серия

Квалификация

Упаковка

Сбросить фильтрацию

	VS-GP400TD60S		Vishay Semiconductors	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Ic 400A Vce(On)1.30V Half Brdge Trench PT	Добавить в запрос
	VS-GT140DA60U		Vishay Semiconductors	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600 Volt 140 Amp	Добавить в запрос