Главная / Каталог компонентов / Датчики / Оптические датчики / Фототранзисторы / VTPS1192HB-TR
Характеристики
Продукт Phototransistors
Упаковка / блок 0805 (2012 metric)
Вид монтажа SMD/SMT
Пиковая длина волны Неизвестно
Рабочее напряжение питания Неизвестно
Максимальный ток коллектора во включенном состоянии 20 mA
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 12 V
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер 5 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.1 V
Темновой ток 100 nA
Время нарастания 1.8 us
Время спада 2.6 us
Pd - рассеивание мощности 75 mW
Минимальная рабочая температура - 40 C
Максимальная рабочая температура + 85 C
Серия Photodetector
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
