HMC-ALH509

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок QFN-16

Тип RF Amplifier

Технология GaAs InGaP

Рабочая частота 86 GHz

P1dB - точка сжатия 7 dBm

Усиление 14 dB

Рабочее напряжение питания 2 V

NF - коэффициент шумов 5 dB

Тестовая частота Неизвестно

OIP3 - перехват составляющих третьего порядка Неизвестно

Рабочий ток источника питания 55 mA

Минимальная рабочая температура - 40 C

Максимальная рабочая температура + 85 C

Квалификация Неизвестно

Серия HMC-ALH509G

Упаковка Gel Pack