HMC-ALH444-SX

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок Die

Тип Low Noise Amplifier

Технология GaAs

Рабочая частота 1 GHz to 12 GHz

P1dB - точка сжатия 19 dBm

Усиление 17 dB

Рабочее напряжение питания 5 V

NF - коэффициент шумов 1.5 dB

Тестовая частота Неизвестно

OIP3 - перехват составляющих третьего порядка 28 dBm

Рабочий ток источника питания 55 mA

Минимальная рабочая температура - 55 C

Максимальная рабочая температура + 85 C

Квалификация Неизвестно

Серия HMC-ALH444G

Упаковка Gel Pack