QPA1003D

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок Die

Тип Power Amplifier

Технология GaN SiC

Рабочая частота 1 GHz to 8 GHz

P1dB - точка сжатия -

Усиление 31 dB

Рабочее напряжение питания 28 V

NF - коэффициент шумов -

Тестовая частота 8 GHz

OIP3 - перехват составляющих третьего порядка -

Рабочий ток источника питания 650 mA

Минимальная рабочая температура - 40 C

Максимальная рабочая температура + 85 C

Квалификация Неизвестно

Серия Неизвестно

Упаковка Gel Pack