HMC659LC5TR

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок QFN-EP-32

Тип Power Amplifier

Технология GaAs

Рабочая частота DC to 15 GHz

P1dB - точка сжатия 26.5 dBm

Усиление 19 dB

Рабочее напряжение питания 8 V

NF - коэффициент шумов 3 dB

Тестовая частота Неизвестно

OIP3 - перехват составляющих третьего порядка 35 dBm

Рабочий ток источника питания 300 mA

Минимальная рабочая температура - 40 C

Максимальная рабочая температура + 85 C

Квалификация Неизвестно

Серия HMC659G

Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel