Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / РЧ транзисторы / РЧ МОП-транзисторы / MRFX1K80GNR5
Есть ROHS
Описание:
РЧ МОП-транзисторы Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1800 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V
Характеристики
Полярность транзистора Dual N-Channel
Технология Si
Id - непрерывный ток утечки 43 A
Vds - напряжение пробоя сток-исток - 500 mV, 179 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток Неизвестно
Усиление 24.4 dB
Выходная мощность 1.8 kW
Минимальная рабочая температура - 40 C
Максимальная рабочая температура + 150 C
Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок OM-1230G-4L
Упаковка Cut Tape, Reel
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
