Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / РЧ транзисторы / РЧ МОП-транзисторы / MRFX600HSR5
Есть ROHS
Описание:
РЧ МОП-транзисторы Wideband RF Power LDMOS Transistor, 600 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V
Характеристики
Полярность транзистора N-Channel
Технология Si
Id - непрерывный ток утечки 32 A
Vds - напряжение пробоя сток-исток 193 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток Неизвестно
Усиление 26.4 dB
Выходная мощность 600 W
Минимальная рабочая температура - 40 C
Максимальная рабочая температура + 150 C
Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок NI-780S-4L
Упаковка Cut Tape, Reel
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
