Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / РЧ транзисторы / РЧ МОП-транзисторы / MRF101BN
Нет ROHS
Описание:
РЧ МОП-транзисторы Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
Характеристики
Полярность транзистора N-Channel
Технология Si
Id - непрерывный ток утечки 8.8 A
Vds - напряжение пробоя сток-исток 133 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток Неизвестно
Усиление 21.1 dB
Выходная мощность 100 W
Минимальная рабочая температура - 40 C
Максимальная рабочая температура + 150 C
Вид монтажа Through Hole
Упаковка / блок TO-220-3
Упаковка Tube
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
